III.स्तंभ ओव्हन:
१. उत्पादनाची सामग्री: २२ लिटर
२. तापमान नियंत्रण श्रेणी: सामान्य तापमानावर ५℃ ~ ४००℃
३. तापमान नियंत्रणाची अचूकता: ±०.१℃
४. तापवण्याचा दर: ०.१ ~ ६०℃ / मिनिट
५. प्रोग्राममधील तापमान वाढीचा क्रम: ९
६. प्रोग्राम हीटिंगची पुनरावृत्तीक्षमता: ≤ २%
७. थंड करण्याची पद्धत: दार उघडल्यानंतर
८. थंड होण्याची गती: ≤१० मिनिटे (२५०℃ ~ ५०℃)
IV. सॉफ्टवेअरचे कार्य नियंत्रित करा
१. कॉलम तापमान बॉक्स नियंत्रण
2. डिटेक्टरनियंत्रण
३. इंजेक्टर नियंत्रण
४. नकाशा प्रदर्शन
व्ही. सॅम्पलर इंजेक्टर
१. तापमान नियंत्रण श्रेणी: सामान्य तापमानावर ७℃ ~ ४२०℃
२. तापमान नियंत्रण पद्धत: स्वतंत्र तापमान नियंत्रण
३. वाहक वायू प्रवाह नियंत्रण पद्धत: स्थिर दाब
४. एकाच वेळी स्थापित करण्याची संख्या: जास्तीत जास्त ३
५. इंजेक्शन युनिटचा प्रकार: फिलिंग कॉलम, शंट
६. स्प्लिट रेशो: स्प्लिट रेशो डिस्प्ले
७. सिलेंडर दाब श्रेणी: ० ~ ४०० किलोपास्कल
८. सिलेंडर दाब नियंत्रण अचूकता: ०.१ किलोपास्कल
९. प्रवाह सेटिंग श्रेणी: H2 ० ~ २०० मिली / मिनिट N2 ० ~ १५० मिली / मिनिट
VI. डिटेक्टर:
१. एफआयडी, टीसीडी वैकल्पिक
२. तापमान नियंत्रण: कमाल ४२०℃
३. एकाच वेळी स्थापित करण्याची संख्या: जास्तीत जास्त २
४. प्रज्वलन कार्यप्रणाली: स्वयंचलित
5.हायड्रोजन फ्लेम आयनीकरण डिटेक्टर (FID)
६. शोध मर्यादा: ≤ ३×१०⁻¹² ग्रॅम/से (एन-हेक्साडेकेन)
७. बेसलाइन नॉईज: ≤ ५× १०⁻¹⁴A
८. बेसलाइन ड्रिफ्ट: ≤ ६× १०⁻¹³A
९. डायनॅमिक रेंज: १०७
आरएसडी: ३% किंवा कमी
१०.औष्णिक वाहकता डिटेक्टर (TCD) :
११. संवेदनशीलता: ५००० मिलिव्होल्ट प्रति मिलिलिटर/मिलिग्रॅम (एन-सेटेन)
१२. बेसलाइन नॉईज: ≤ ०.०५ मिलिव्होल्ट
१३. बेसलाइन ड्रिफ्ट: ≤ ०.१५ मिलिव्होल्ट / ३० मिनिटे
१४. डायनॅमिक रेंज: १०५
१५. पुरवठा व्होल्टेज: AC220V±22V, 50Hz±0.5Hz
१६. शक्ती: ३००० वॅट